Datasheet IPD038N04N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 90 А, 40 В, PG-TO252-3 — Даташит
Наименование модели: IPD038N04N G
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC, TO-252, 3 PIN | |||
IPD038N04NG | по запросу | ||
IPD038N04NG Infineon | по запросу | ||
IPD038N04NG | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 90 А, 40 В, PG-TO252-3
Краткое содержание документа:
IdQ
$ " "
"%&$!"# $ ;B 1 = -: >5 ;= '= >?
7MI[YMZ P 1B B C 89 & ( , - 6 A, & ) , C F9 >7 3 ? P ( @C I54 C 8>? < 7H 6 A 3 ? >E5A5A 9 =9 53 ? ? C B P * D 954 13 3 ? A >7 C $ 1<6 9 49 ? P' 3 81>>5< >? A =1<< 5E5< P G 5<5>C71C 3 81A G' 9H"[Z# @A 4D C ( & 3 < 5 75 ? 3 P.
5A < F ? >A 9C 5 ' 9H"[Z# H? 5BB1>3 P
E1< 85 C C 1>3 5B54 P ) 2 655 @< 9 + ? " , 3 ? =@<1>C A 1C >7 9 C`XM #) ' ' !
)#
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 3.2 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: TO-252
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 90 А
- Power Dissipation Pd: 94 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть