Datasheet IPD060N03L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 50 А, 30 В, PG-TO252-3 — Даташит

Infineon IPD060N03L G

Наименование модели: IPD060N03L G

Купить IPD060N03L G на РадиоЛоцман.Цены — от 23 до 202 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков OptiMOS?„?3 Power-Transistor Features Fast switching MOSFET for SMPS
AiPCBA Весь мир	IPD060N03LG Youtai	23 ₽
ЧипСити Россия	IPD060N03LG Infineon	33 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	IPD060N03LG Infineon	по запросу
Utmel Весь мир	IPD060N03LG Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 50 А, 30 В, PG-TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Type
IPD060N03L G IPS060N03L G
IPF060N03L G IPU060N03L G
OptiMOS®3 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for DC/DC converters · Qualified according to JEDEC for target applications · N-channel, logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · Avalanche rated · Pb-free plating; RoHS compliant IPD060N03L G Type · Avalanche rated · Pb-free plating; RoHS compliant IPF060N03L G

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 5 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: TO-252
Количество выводов: 3
Current Id Max: 50 А
Power Dissipation Pd: 56 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть