Datasheet IPD60R385CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-252 — Даташит
Наименование модели: IPD60R385CP
Купить IPD60R385CP на РадиоЛоцман.Цены — от 35 до 218 ₽ 13 предложений от 10 поставщиков МОП-транзистор N-CH 600 V 9 A | |||
| IPD60R385CP (ST-STD13NM60N) STMicroelectronics | 35 ₽ | ||
| IPD60R385CP Infineon | 110 ₽ | ||
| IPD60R385CP Infineon | от 131 ₽ | ||
| IPD60R385CP Infineon | 218 ₽ | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, TO-252
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
IPD60R385CP
CoolMOS® Power Transistor
Features · Worldwide best R ds,on in TO252 · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS @ Tj,max R DS(on),max Q g,typ 650 V
0.385 17 nC
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 9 А
- Current Id Max: 9 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 385 МОм
- Pulse Current Idm: 27 А
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Voltage Vds Typ: 650 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-252
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 83 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Тип корпуса: TO-252
- Тип транзистора: Power MOSFET
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
