Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet IPI040N06N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 А, 60 В, PG-TO262-3 — Даташит

Infineon IPI040N06N3 G

Наименование модели: IPI040N06N3 G

5 предложений от 5 поставщиков
OptiMOS?„?3 Power-Transistor Features for sync. rectification, drives and dc/dc SMPS
ЧипСити
Россия
IPI040N06N3G
Infineon
54 ₽
AiPCBA
Весь мир
IPI040N06N3G
Infineon
57 ₽
ChipWorker
Весь мир
IPI040N06N3G
Infineon
58 ₽
Acme Chip
Весь мир
IPI040N06N3G
Infineon
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 А, 60 В, PG-TO262-3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IdQ
TM
IPB037N06N3 G
IPI040N06N3 G IPP040N06N3 G
"%&$!"# 3 Power-Transistor

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 3.3 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: TO-262
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 90 А
  • Power Dissipation Pd: 188 Вт
  • Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IPI040N06N3 G - Infineon MOSFET, N CH, 60 A, 60 V, PG-TO262-3

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России