Datasheet IPP200N15N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 50 А, 150 В, PG-TO220-3 — Даташит
Наименование модели: IPP200N15N3 G
Купить IPP200N15N3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 132 до 294 ₽ 11 предложений от 8 поставщиков OptiMOS?„?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) | |||
IPP200N15N3G Infineon | 132 ₽ | ||
IPP200N15N3G Infineon | 134 ₽ | ||
IPP200N15N3G Infineon | от 167 ₽ | ||
IPP200N15N3G Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 50 А, 150 В, PG-TO220-3
Краткое содержание документа:
#
! ! #
! !
#
! ! # #
! !
"%&$!"# # : A 0< < & ,9=4 : < =>
6LHZ[XLY R (
4 92??6= ?@ C = 6= >2= 6G R I4 6=6?E 6 4 92C I' ;I"[# AC 5F4 E ) ' = 82E 86 @ ! R/ 6C = H @ ?
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 150 В
- On Resistance Rds(on): 16 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 50 А
- Power Dissipation Pd: 150 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть