Datasheet IPP200N15N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 50 А, 150 В, PG-TO220-3 — Даташит

Infineon IPP200N15N3 G

Наименование модели: IPP200N15N3 G

Купить IPP200N15N3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 132 до 294 ₽ 11 предложений от 8 поставщиков OptiMOS?„?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
AiPCBA Весь мир	IPP200N15N3G Infineon	132 ₽
ChipWorker Весь мир	IPP200N15N3G Infineon	134 ₽
Utmel Весь мир	IPP200N15N3G Infineon	от 167 ₽
МосЧип Россия	IPP200N15N3G Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 50 А, 150 В, PG-TO220-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
# ! ! # ! !
# ! ! # # ! !
"%&$!"# # : A 0< < & ,9=4 : < =>
6LHZ[XLY R (
4 92??6= ?@ C = 6= >2= 6G R I4 6=6?E 6 4 92C I' ;I"[# AC 5F4 E ) ' = 82E 86 @ ! R/ 6C = H @ ?

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 150 В
On Resistance Rds(on): 16 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: TO-220
Количество выводов: 3
Current Id Max: 50 А
Power Dissipation Pd: 150 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть