Datasheet IPP60R125CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит

Infineon IPP60R125CP

Наименование модели: IPP60R125CP

Купить IPP60R125CP на РадиоЛоцман.Цены — от 102 до 844 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков транз: N-MOSFET 600V 29A
Стандарт СИЗ Россия	IPP60R125CP (ST-STP34NM60N) STMicroelectronics	102 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	IPP60R125CP Infineon	266 ₽
Utmel Весь мир	IPP60R125CP Infineon	по запросу
LifeElectronics Россия	IF.IPP60R125CP	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPP60R125CP
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure-of-merit R ONxQg · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS @ Tj,max R DS(on),max Q g,typ 650 V
0.125 53 nC

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 25 А
Drain Source Voltage Vds: 650 В
On Resistance Rds(on): 125 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: TO-220
Количество выводов: 3
Current Id Max: 25 А
Тип корпуса: TO-220
Power Dissipation Pd: 208 Вт
Способ монтажа: Through Hole
Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
Тип транзистора: Power MOSFET
Voltage Vds Typ: 650 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Panasonic - EYGA091203SM
Panasonic - EYGA121807A