Datasheet IPP60R600CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит

Купить IPP60R600CP на РадиоЛоцман.Цены — от 32 до 439 ₽ 15 предложений от 12 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
Стандарт СИЗ Россия	IPP60R600CP (ST-STP12NK60Z) STMicroelectronics	32 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IPP60R600CP Infineon	50 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IPP60R600CP Infineon	52 ₽	Купить
ЭИК Россия	IPP60R600CP Infineon	149 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPP60R600CP
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure-of-merit R ON x Qg · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS @ Tj,max R DS(on),max @ Tj =25°C Q g,typ 650 0.6 21 V nC
PG-TO220

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 6.1 А
• Drain Source Voltage Vds: 650 В
• On Resistance Rds(on): 600 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 6.1 А
• Тип корпуса: TO-220
• Power Dissipation Pd: 60 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 650 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A