ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet SPA07N60CFD - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит

Infineon SPA07N60CFD

Наименование модели: SPA07N60CFD

17 предложений от 11 поставщиков
Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 600V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN
T-electron
Россия и страны СНГ
SPA07N60CFD
Infineon
117 ₽
AiPCBA
Весь мир
SPA07N60CFD
Infineon
171 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
SPA07N60CFD
по запросу
ТаймЧипс
Россия
SPA07N60CFD
Infineon
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPA07N60CFD
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Intrinsic fast-recovery body diode · Extremely low reverse recovery charge · Ultra low gate charge · Extreme dv /dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications
Product Summary V DS @Tjmax R DS(on),max ID 650 0.7 6.6 V A
PG-TO220 FP

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 6.6 А
  • Drain Source Voltage Vds: 650 В
  • On Resistance Rds(on): 700 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-220
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 6.6 А
  • Тип корпуса: TO-220
  • Power Dissipation Pd: 32 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 650 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Panasonic - EYGA091203SM
  • Panasonic - EYGA121807A

На английском языке: Datasheet SPA07N60CFD - Infineon MOSFET, N, TO-220

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России