Datasheet SPD02N60C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, COOLMOS, D-PAK — Даташит
Наименование модели: SPD02N60C3
Купить SPD02N60C3 на РадиоЛоцман.Цены — от 7.51 до 48 ₽ 17 предложений от 14 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 600V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252, DPAK-3 | |||
| SPD02N60C3 (ST-STD3NK60ZT4) STMicroelectronics | 7.51 ₽ | ||
| SPD02N60C3 Infineon | от 22 ₽ | ||
| SPD02N60C3 Infineon | 48 ₽ | ||
| IF.SPD02N60C3 | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, COOLMOS, D-PAK
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
VDS
· · · · ·
G
Tjmax
G
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 3 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- Альтернативный тип корпуса: D-PAK
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 50mJ
- Current Iar: 1.8 А
- Current Id Max: 1.8 А
- Current Idss Max: 1 мкА
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance Max: 3 Ом
- Тип корпуса: DPAK
- Power Dissipation Pd: 25 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 25 Вт
- Pulse Current Idm: 5.4 А
- Rate of Voltage Change dv / dt: 50V/ns
- Repetitive Avalanche Energy Max: 0.07mJ
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Voltage Vds Typ: 650 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 3.9 В
- Voltage Vgs th Min: 2.1 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 244 08 D PAK
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
- Fischer Elektronik - WLK 5
