HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SPD03N50C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-252 — Даташит

Infineon SPD03N50C3

Наименование модели: SPD03N50C3

28 предложений от 16 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 2А; Idm: 9,6А; 38Вт; PG-TO252
SPD03N50C3 (ST-STD6N52K3)
STMicroelectronics
11 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SPD03N50C3
Infineon
23 ₽
Acme Chip
Весь мир
SPD03N50C3
по запросу
TradeElectronics
Россия
SPD03N50C3_08
Infineon
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-252

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
VDS · · · · · ·
Tjmax
G
G
TC TC tp VDD Tjmax EAR VDD Tjmax Gate source voltage VGS VGS Ptot Reverse diode dv/dt 5) dv/dt 15 V/ns ± Tjmax

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 560 В
  • On Resistance Rds(on): 1.4 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Рассеиваемая мощность: 38 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-252
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
  • Current Id Max: 3.2 А
  • Тип корпуса: TO-252
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 560 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet SPD03N50C3 - Infineon MOSFET, N, TO-252

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России