Datasheet SPD04N80C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-252 — Даташит

Купить SPD04N80C3 на РадиоЛоцман.Цены — от 42 до 194 ₽ 30 предложений от 16 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,5А; Idm: 12А; 63Вт
Стандарт СИЗ Россия	SPD04N80C3 (ST-STD7NM80) STMicroelectronics	42 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	SPD04N80C3ATMA1 Infineon	59 ₽	Купить
ЧипСити Россия	SPD04N80C3ATMA1 Infineon	78 ₽	Купить
Flash-Turtle Весь мир	SPD04N80C3ATMA1 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-252

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPD04N80C3 Cool MOSTM Power Transistor
Feature · New revolutionary high voltage technology · Ultra low gate charge · Periodic avalanche rated · Extreme dv/dt rated · Ultra low effective capacitances · Improved transconductance
VDS RDS(on) ID
800 1.3 4
PG-TO252

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 4 А
• Drain Source Voltage Vds: 800 В
• On Resistance Rds(on): 1.3 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-252
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 4 А
• Тип корпуса: TO-252
• Power Dissipation Pd: 63 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 800 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A