Datasheet SPD08N50C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-252 — Даташит
Наименование модели: SPD08N50C3
Купить SPD08N50C3 на РадиоЛоцман.Цены — от 28 до 197 ₽ 26 предложений от 16 поставщиков МОП-транзистор COOL MOS N-CH 500V 7.6A | |||
SPD08N50C3 (ST-STD10NM50N) STMicroelectronics | 28 ₽ | ||
SPD08N50C3 Infineon | 62 ₽ | ||
SPD08N50C3ATMA1 Infineon | от 172 ₽ | ||
SPD08N50C3 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, TO-252
Краткое содержание документа:
SPD08N50C3 Cool MOSTM Power Transistor
Feature · New revolutionary high voltage technology · Worldwide best RDS(on) in TO-252 · Ultra low gate charge · Periodic avalanche rated · Extreme dv/dt rated · Ultra low effective capacitances · Improved transconductance
VDS @ Tjmax RDS(on) ID
560 0.6 7.6
PG-TO252
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 7.6 А
- Drain Source Voltage Vds: 560 В
- On Resistance Rds(on): 600 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-252
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 7.6 А
- Тип корпуса: TO-252
- Power Dissipation Pd: 83 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 560 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A