Datasheet BSO119N03S - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, 30 В, SO-8 — Даташит

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, 30 В, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSO119N03S
OptiMOS®2 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for notebook DC/DC converters · Qualified according to JEDEC for target applications · N-channel · Logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · Superior thermal resistance · Avalanche rated · Pb-free plating; RoHS compliant
1)
Product Summary V DS R DS(on),max ID 30 11.9 11 V m A

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 11.9 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 11.9 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 9 А
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 16.3 МОм
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 1.56 Вт
• Pulse Current Idm: 52 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
• Voltage Vds: 30 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE932-01