Datasheet BSC059N03S - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, SUPER SO-8 — Даташит

Infineon BSC059N03S

Наименование модели: BSC059N03S

Купить BSC059N03S на РадиоЛоцман.Цены — от 43 до 46 ₽ 16 предложений от 16 поставщиков Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A 8-Pin TDSON T/R
ЧипСити Россия	BSC059N03ST Infineon	43 ₽
AiPCBA Весь мир	BSC059N03ST Infineon	46 ₽
Akcel Весь мир	BSC059N03SGATMA1 Infineon	по запросу
ТаймЧипс Россия	BSC059N03S Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, SUPER SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSC059N03S
OptiMOS®2 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for notebook DC/DC converters · Qualified according to JEDEC for target applications · N-channel · Logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · Superior thermal resistance · Avalanche rated · dv /dt rated Type BSC059N03S Package P-TDSON-8 Ordering Code Q67042-S4222
1
Product Summary V DS R DS(on),max ID 30 5.5 50 V m A

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 73 А
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 5.5 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: SuperSO
Количество выводов: 8
Current Id Max: 17.5 А
Current Temperature: 25°C
Full Power Rating Temperature: 25°C
Количество транзисторов: 1
Тип корпуса: P-TDSON-8
Pin Format: 1 с
Power Dissipation Pd: 48 Вт
Pulse Current Idm: 200 А
SMD Marking: BSC059N03S
Способ монтажа: SMD
Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
Voltage Vds Typ: 30 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть