Datasheet IRF6714MTR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET MX — Даташит
Наименование модели: IRF6714MTR1PBF
Купить IRF6714MTR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 42 до 329 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков Trans MOSFET N-CH 25V 29A 7Pin Direct-FET MX T/R | |||
| IRF6714MTR1PBF, Nкан 25В 29А DirectFET MX International Rectifier | 42 ₽ | ||
| IRF6714MTR1PBF MOSFET N-CH 25V 29A | 63 ₽ | ||
| IRF6714MTR1PBF Infineon | от 207 ₽ | ||
| IRF6714MTR1PBF International Rectifier | 222 ₽ | ||
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET MX
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PD - 96130
IRF6714MPbF IRF6714MTRPbF
l l l l l l l l l l
RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) Low Profile (<0.6 mm) 25V max ±20V max 1.6m@ 10V 2.6m@ 4.5V Dual Sided Cooling Compatible Ultra Low Package Inductance Qg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) Optimized for High Frequency Switching 29nC 8.3nC 4.1nC 36nC 23nC 1.9V Ideal for CPU Core DC-DC Converters Optimized for Sync.
FET socket of Sync. Buck Converter Low Conduction and Switching Losses Compatible with existing Surface Mount Techniques 100% Rg tested MX
DirectFET ISOMETRIC
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 29 А
- Drain Source Voltage Vds: 25 В
- On Resistance Rds(on): 1.6 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
- Рассеиваемая мощность: 2.8 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +150°C
- Корпус транзистора: MX
- Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 29 А
- Тип корпуса: MX
- Pulse Current Idm: 234 А
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 25 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Min: 1.4 В
RoHS: есть
