Datasheet IRF6725MTR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET MX — Даташит

International Rectifier IRF6725MTR1PBF

Наименование модели: IRF6725MTR1PBF

Купить IRF6725MTR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 111 до 396 ₽ 17 предложений от 10 поставщиков IRF6725M MOSFET транзистор: N-ch, 30В, 170А
Akcel Весь мир	IRF6725MTR1PBF Infineon	от 111 ₽
Utmel Весь мир	IRF6725MTR1PBF Infineon	от 114 ₽
ChipWorker Весь мир	IRF6725MTR1PBF Infineon	279 ₽
Romstore Россия, Беларусь	IRF6725MTR1PBF	от 396 ₽

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET MX

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96120
IRF6725MPbF IRF6725MTRPbF
l l l l l l l l l l
RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Ultra Low Package Inductance Optimized for High Frequency Switching Ideal for CPU Core DC-DC Converters Optimized for both Sync.FET and some Control FET application Low Conduction and Switching Losses Compatible with existing Surface Mount Techniques 100% Rg tested
Typical values (unless otherwise specified)

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 28 А
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 2.4 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
Рассеиваемая мощность: 2.8 Вт
Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
Корпус транзистора: MX
Количество выводов: 7
Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
Current Id Max: 28 А
Тип корпуса: MX
Pulse Current Idm: 220 А
Способ монтажа: SMD
Voltage Vds Typ: 30 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
Voltage Vgs th Min: 1.35 В

RoHS: есть