Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet IRF7665S2TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 14.4 А, DIRECTFET SB — Даташит

International Rectifier IRF7665S2TR1PBF

Наименование модели: IRF7665S2TR1PBF

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 14.4 А, DIRECTFET SB

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DIGITAL AUDIO MOSFET
PD - 96239
IRF7665S2TRPbF IRF7665S2TR1PbF
Key Parameters 100 51 8.3 3.5 m: nC V
Features

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 14.4 мА
  • Current Id Max: 14.4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 51 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Влагостойкость: MSL 2 - 1 year
  • Количество выводов: 4
  • Корпус транзистора: DirectFET
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Рассеиваемая мощность: 30 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet IRF7665S2TR1PBF - International Rectifier MOSFET, N CH, 100 V, 14.4 A, DIRECTFET SB

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России