Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet IRFH3702TRPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 16 А, PQFN — Даташит

International Rectifier IRFH3702TRPBF

Наименование модели: IRFH3702TRPBF

33 предложений от 15 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 16 А, 0.0057 Ом, PQFN, Surface Mount
T-electron
Россия и страны СНГ
IRFH3702TRPBF
Infineon
17 ₽
IRFH3702TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 16А [PQFN-3x3]
International Rectifier
22 ₽
Akcel
Весь мир
IRFH3702TRPBF
Infineon
от 35 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
IRFH3702TRPBF
International Rectifier
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 16 А, PQFN

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97368A
IRFH3702PbF
Applications
l l l
HEXFET® Power MOSFET

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 16 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 7.1 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
  • Рассеиваемая мощность: 2.8 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: PQFN
  • Количество выводов: 8
  • Влагостойкость: MSL 2 - 1 year
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 16 А
  • Тип корпуса: PQFN
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Max: 1.8 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IRFH3702TRPBF - International Rectifier MOSFET, N CH, 30 V, 16 A, PQFN

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России