Datasheet IRLML5103PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, P, -30 В, -0.61 А, MICRO 3 — Даташит

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, P, -30 В, -0.61 А, MICRO 3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 94894
IRLML5103PbF
l l l l l l l l
HEXFET® Power MOSFET
Generation V Technology Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET SOT-23 Footprint Low Profile (<1.1mm) Available in Tape and Reel Fast Switching Lead-Free

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 610 мА
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 600 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Voltage Vgs Max: -1 В
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 610 мА
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 230°C/W
• On State resistance @ Vgs = 10V: 600 МОм
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 540 мВт
• Pulse Current Idm: 4.8 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
• Voltage Vds Typ: -30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
• Voltage Vgs th Min: -1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE901