Datasheet IRF6626TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 30 В, ST — Даташит
Наименование модели: IRF6626TR1PBF
Купить IRF6626TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 140 до 4 521 ₽ 14 предложений от 8 поставщиков MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET | |||
IRF6626TR1PBF Infineon | 140 ₽ | ||
IRF6626TR1PBF Infineon | 149 ₽ | ||
IRF6626TR1PBF Infineon | от 389 ₽ | ||
IRF6626TR1PBF,Nкан 30В 16А/72А DirectFET ST International Rectifier | 4 521 ₽ |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 30 В, ST
Краткое содержание документа:
PD - 97218
IRF6626PbF IRF6626TRPbF
DirectFET Power MOSFET
l l l l l l l l l
RoHs Compliant Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) Application Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses High Cdv/dt Immunity Low Profile (<0.7mm) Dual Sided Cooling Compatible Compatible with existing Surface Mount Techniques
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 16 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 4 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 2.35 В
- Корпус транзистора: ST
- Количество выводов: 5
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Семейство: 6626
- Current Id Max: 13 А
- Тип корпуса: ST
- Power Dissipation Pd: 2.2 мВт
- Pulse Current Idm: 130 А
- SMD Marking: 2.2
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.35 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds: 30 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.35 В
- Voltage Vgs th Min: 1.35 В
RoHS: есть