На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet IRFHM830TRPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 21 А, PQFN33 — Даташит

International Rectifier IRFHM830TRPBF

Наименование модели: IRFHM830TRPBF

35 предложений от 16 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 40 А, 0.003 Ом, QFN, Surface Mount
Utmel
Весь мир
IRFHM830TRPBF
Infineon
от 19 ₽
IRFHM830TRPBF,Nкан 30В 40А 3.8мОм PQFN3.3x3.3
Infineon
25 ₽
Контест
Россия
IRFHM830TRPBF
Infineon
60 ₽
IRFHM830TRPBF
Infineon
от 89 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 21 А, PQFN33

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97547A
IRFHM830PbF
HEXFET® Power MOSFET
VDS RDS(on) max
(@VGS = 10V)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 21 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.003 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
  • Рассеиваемая мощность: 2.7 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: QFN
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 21 А
  • Voltage Vgs Max: 20 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IRFHM830TRPBF - International Rectifier MOSFET, N CH, DIODE, 30 V, 21 A, PQFN33

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России