Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet IRF7413QPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N SO-8 — Даташит

International Rectifier IRF7413QPBF

Наименование модели: IRF7413QPBF

8 предложений от 8 поставщиков
HEXFET Power MOSFET
ЧипСити
Россия
IRF7413QPBF
Infineon
218 ₽
AiPCBA
Весь мир
IRF7413QPBF
Infineon
232 ₽
LifeElectronics
Россия
IRF7413QPBF
по запросу
ЗУМ-СМД
Россия
IRF7413QPBF
International Rectifier
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N SO-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96112
IRF7413QPbF
l l l l l l l l
HEXFET® Power MOSFET
A A D D D D

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 13 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 11 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 3 В
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 44nC
  • Current Id Max: 13 А
  • Тип корпуса: SOIC
  • Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
  • Pulse Current Idm: 58 А
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Voltage Vds: 30 В
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • BONKOTE - BON102
  • Electrolube - SMA10SL
  • Roth Elektronik - RE932-01

На английском языке: Datasheet IRF7413QPBF - International Rectifier MOSFET, N SO-8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России