Datasheet IRFH3707TRPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор N CH 30 В 12 А PQFN — Даташит

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор N CH 30 В 12 А PQFN

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96227B
IRFH3707PbF
Applications
l l l l
HEXFET® Power MOSFET

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 12 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 12.4 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 1.8 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: PQFN
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 12 мА
• Тип корпуса: PQFN
• Power Dissipation Pd: 2.8 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 10 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть