Datasheet VS-FB180SA10P - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N — Даташит

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FB180SA10P
Vishay Semiconductors
Power MOSFET, 180 A
FEATURES
· Fully isolated package · Easy to use and parallel · Very low on-resistance · Dynamic dV/dt rating · Fully avalanche rated

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 180 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 6.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-227
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 180 А
• Тип корпуса: SOT-227
• Power Dissipation Pd: 480 Вт
• Способ монтажа: Screw
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

VSFB180SA10P, VS FB180SA10P