Datasheet IXFH24N80P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит
Наименование модели: IXFH24N80P
Купить IXFH24N80P на РадиоЛоцман.Цены — от 62 до 725 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков In a Tube of 30, N-Channel MOSFET, 24 A, 800 V, 3-Pin TO-247AD IXYS IXFH24N80P | |||
| IXFH24N80P (ST-STW11NM80) STMicroelectronics | 62 ₽ | ||
| IXFH24N80P IXYS | от 627 ₽ | ||
| IXFH24N80P IXYS | от 656 ₽ | ||
| IXFH24N80P IXYS | 691 ₽ | ||
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, TO-247
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFH 24N80P IXFK 24N80P IXFT 24N80P
VDSS = 800 V ID25 = 24 A RDS(on) 400 m trr 250 ns
Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg Md Weight
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 24 А
- Drain Source Voltage Vds: 800 В
- On State Resistance: 400 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
- Capacitance Ciss Typ: 5800 пФ
- Current Id Max: 24 А
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.19°C/W
- N-channel Gate Charge: 100nC
- Тип корпуса: TO-247
- Power Dissipation Pd: 650 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Voltage Vds Typ: 800 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 250 нс
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Dow Corning - 2265931
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
- Fischer Elektronik - WLK 5
