Datasheet IXFH76N07-11 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит

Купить IXFH76N07-11 на РадиоЛоцман.Цены — от 140 до 976 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков Trans MOSFET N-CH 70V 76A 3-Pin (3+Tab) TO-247AD
AliExpress Весь мир	IXFH76N07-11 IXFH8N80 IXFH80N085 IXFH80N65X2 IXFH80N10Q IXFH86N30T IXFH88N30P IXFH9N80 IXFH9N100Q IXFH90N20X3 TO-247	140 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IXFH76N07-11 IXYS	774 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IXFH76N07-11	по запросу	Купить
Acme Chip Весь мир	IXFH76N07-11 IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family
VDSS IXFH 76 N06-11 IXFH 76 N06-12 IXFH 76 N07-11 IXFH 76 N07-12 60 V 60 V 70 V 70 V
ID25 76 A 76 A 76 A 76 A
RDS(on) 11 mW 12 mW 11 mW 12 mW

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 76 А
• Drain Source Voltage Vds: 70 В
• On State Resistance: 11 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-247
• Количество выводов: 3
• Альтернативный тип корпуса: SOT-249
• Current Id Max: 76 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 11 МОм
• Тип корпуса: TO-247
• Power Dissipation Pd: 360 Вт
• Pulse Current Idm: 304 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.4 В
• Voltage Vds Typ: 70 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 3.4 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
• Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
• Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
• Fischer Elektronik - WLK 5

Варианты написания:

IXFH76N0711, IXFH76N07 11