На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet IXFR140N30P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, ISOPLUS247 — Даташит

IXYS IXFR140N30P

Наименование модели: IXFR140N30P

23 предложений от 11 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 70А; 300Вт; ISOPLUS247TM
Akcel
Весь мир
IXFR140N30P
IXYS
от 971 ₽
Utmel
Весь мир
IXFR140N30P
IXYS
от 978 ₽
ЧипСити
Россия
IXFR140N30P
Littelfuse
1 636 ₽
IXFR140N30P
IXYS
от 4 897 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, ISOPLUS247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Contacts: Christopher Gobok IXYS Corporation 3540 Bassett Street Santa Clara, CA 95054 Tel: 408-982-4322; Fax: 408-496-0670 e-mail: [email protected] IXYS Adds High Power Versions of its PolarHTTM PolarHVTM Power MOSFETs with Up to 140A of Current Handling Capability
Wednesday June 28, 8:30 am ET
Santa Clara, CA, June 28, 2006 - IXYS Corporation (NASDAQ: SYXI - News) announced today the release of new high-current PolarHT and PolarHV (hereafter PolarHT/HV) Power MOSFETs that bring additional design flexibility to a broad range of higher power conversion applications based on IXYS PolarHT/HV technology.

The PolarHT/HT platform incorporates IXYS proprietary cell-design technology that reduces on-resistance by 30%, enabling improved efficiency. These new Power MOSFETs exemplify IXYS Corporation's leadership position in the high current, high voltage power conversion market. IXYS provides a wide selection of these new high-current PolarHT/HV Power MOSFETs. Voltages range from 300V to 800V an

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 82 А
  • Drain Source Voltage Vds: 300 В
  • On State Resistance: 26 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 5 В
  • Корпус транзистора: ISOPLUS-247
  • Количество выводов: 3
  • Capacitance Ciss Typ: 14000 пФ
  • Current Id Max: 82 А
  • Напряжение изоляции: 2.5 кВ
  • N-channel Gate Charge: 185nC
  • Тип корпуса: ISOPLUS-247
  • Power Dissipation Pd: 360 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
  • Voltage Vds Typ: 300 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс
  • Rth: 0.35

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Panasonic - EYGA091203SM
  • Panasonic - EYGA121807A

На английском языке: Datasheet IXFR140N30P - IXYS MOSFET, N, ISOPLUS247

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России