Datasheet IXFR200N10P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, ISOPLUS247 — Даташит

Купить IXFR200N10P на РадиоЛоцман.Цены — от 1 031 до 3 332 ₽ 24 предложений от 12 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 300Вт; ISOPLUS247TM
T-electron Россия и страны СНГ	IXFR200N10P IXYS	1 031 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IXFR200N10P IXYS	1 092 ₽	Купить
Utmel Весь мир	IXFR200N10P IXYS	от 1 434 ₽	Купить
ЭИК Россия	IXFR200N10P IXYS	от 2 717 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, ISOPLUS247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarTM HiPerFET Power MOSFET
Electrically Isolated Tab
IXFR 200N10P
VDSS = 100 V ID25 = 133 A RDS(on) 9 m tRR 150 ns
N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode, Avavanche Rated

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 133 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 9 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 15 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: ISOPLUS-247
• Количество выводов: 3
• Capacitance Ciss Typ: 7600 пФ
• Current Id Max: 133 А
• Напряжение изоляции: 2.5 кВ
• N-channel Gate Charge: 235nC
• Тип корпуса: ISOPLUS-247
• Power Dissipation Pd: 300 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 150 нс
• Rth: 0.5

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A