KEEN SIDE успешно заменяет аналогичные продукты таких известных брендов, как Phoenix Contact, Weidmueller, Degson, Winstar, Hsuan Mao, KLS, G-NOR, Mean Well и др.

Datasheet IXTP4N80P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит

IXYS IXTP4N80P

Наименование модели: IXTP4N80P

25 предложений от 13 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; PolarHVTM; полевой; 800В; 3,6А; Idm: 8А; 100Вт
IXTP4N80P (ST-STP4NK80Z)
STMicroelectronics
15 ₽
AliExpress
Весь мир
IXTP32P20T IXTP36N30P IXTP36P15P IXTP4N50 IXTP4N65X2 IXTP4N60P IXTP4N80P IXTP42N15T IXTP42N25P IXTP44P15T TO-220
54 ₽
AiPCBA
Весь мир
IXTP4N80P
IXYS
195 ₽
ChipWorker
Весь мир
IXTP4N80P
IXYS
196 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Advance Technical Information
PolarHVTM Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA4N80P IXTP4N80P
VDSS = 800 = 3.6 ID25 RDS(on) 3.4

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 800 В
  • On State Resistance: 3 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-220
  • Количество выводов: 3
  • Capacitance Ciss Typ: 750 пФ
  • Current Id Max: 3.6 А
  • Тепловое сопротивление переход-корпус: 1.25°C/W
  • N-channel Gate Charge: 15nC
  • Тип корпуса: TO-220
  • Power Dissipation Pd: 100 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 5.5 В
  • Voltage Vds Typ: 800 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Reverse Recovery Time trr Max: 600 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
  • Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
  • Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet IXTP4N80P - IXYS MOSFET, N, TO-220

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России