Datasheet IXFC110N10P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, ISOPLUS220 — Даташит

IXYS IXFC110N10P

Наименование модели: IXFC110N10P

Купить IXFC110N10P на РадиоЛоцман.Цены — от 409 до 436 ₽ 6 предложений от 6 поставщиков IXYS SEMICONDUCTOR IXFC110N10P MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 100 V, 17 mohm, 10 V, 5 V
ЧипСити Россия	IXFC110N10P IXYS	409 ₽
AiPCBA Весь мир	IXFC110N10P IXYS	436 ₽
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	IXFC110N10P IXYS	по запросу
Acme Chip Весь мир	IXFC110N10P IXYS	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, ISOPLUS220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS220TM
(Electrically Isolated Back Surface)
IXFC 110N10P
VDSS = 100 V ID25 = 60 A RDS(on) 17 m trr 150 ns
N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 60 А
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On State Resistance: 17 МОм
Корпус транзистора: ISOPLUS-220
Capacitance Ciss Typ: 3550 пФ
Напряжение изоляции: 2.5 кВ
N-channel Gate Charge: 110nC
Тип корпуса: ISOPLUS-220
Power Dissipation Pd: 120 Вт
Способ монтажа: Through Hole
Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
Voltage Vds Typ: 100 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
Reverse Recovery Time trr Max: 150 нс
Rth: 1.25

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Panasonic - EYGA091203SM
Panasonic - EYGA121807A