Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet IXUC100N055 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, ISOPLUS220 — Даташит

IXYS IXUC100N055

Наименование модели: IXUC100N055

15 предложений от 9 поставщиков
IXYS SEMICONDUCTOR IXUC100N055MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 55 V, 7.7 mohm, 10 V, 4 V
T-electron
Россия и страны СНГ
IXUC100N055
IXYS
415 ₽
ЧипСити
Россия
IXUC100N055
IXYS
561 ₽
IXUC100N055
IXYS
по запросу
ТаймЧипс
Россия
IXUC100N055TRENCHGATE
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, ISOPLUS220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ADVANCE TECHNICAL INFORMATION
Trench Power MOSFET
ISOPLUS220TM
Electrically Isolated Back Surface
IXUC100N055

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 100 А
  • Drain Source Voltage Vds: 55 В
  • On State Resistance: 7.7 МОм
  • Корпус транзистора: ISOPLUS-220
  • Напряжение изоляции: 2.5 кВ
  • N-channel Gate Charge: 22nC
  • Тип корпуса: ISOPLUS-220
  • Power Dissipation Pd: 150 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Voltage Vds Typ: 55 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Reverse Recovery Time trr Max: 80 нс
  • Rth: 1

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IXUC100N055 - IXYS MOSFET, N, ISOPLUS220

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России