Datasheet BSH103 - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит

Купить BSH103 на РадиоЛоцман.Цены — от 2.33 до 162 ₽ 52 предложений от 28 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 850 мА, 0.4 Ом, TO-236AB, Surface Mount
Стандарт СИЗ Россия	BSH103,215 Philips	2.33 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	BSH103	4.67 ₽	Купить
ЧипСити Россия	BSH103 NXP	95 ₽	Купить
AliExpress Весь мир	5 шт./партия полевой транзистор BSH103,215 SOT23-3 BSH105,215 TO-236AB BSH108,215 MOSFET BSH201,215 BSH203,215	162 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
andbook, halfpage
M3D088
BSH103 N-channel enhancement mode MOS transistor

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 850 мА
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 500 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: 8 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: 920 мА
• Current Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 500 мВт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 500 мВт
• Pulse Current Idm: 3.4 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 400 мВ
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В

RoHS: есть