ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet BSH108,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 1.9 А, 3-SOT-23 — Даташит

NXP BSH108,215

Наименование модели: BSH108,215

47 предложений от 23 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 1.9 А, 0.077 Ом, SOT-23, Surface Mount
BSH108,215
Philips
3.26 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
BSH108,215
NXP
6.37 ₽
BSH108,215
Nexperia
от 25 ₽
AliExpress
Весь мир
5 шт./партия полевой транзистор BSH103,215 SOT23-3 BSH105,215 TO-236AB BSH108,215 MOSFET BSH201,215 BSH203,215
162 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 1.9 А, 3-SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSH108
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.

02 -- 25 October 2000
M3D088
Product specification

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 1.9 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 77 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Полярность транзистора: N Channel
  • RoHS: да

Варианты написания:

BSH108215, BSH108 215

На английском языке: Datasheet BSH108,215 - NXP MOSFET, N CH, 30 V, 1.9 A, 3-SOT-23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России