На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet BSH112,235 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 300 мА, SOT-23 — Даташит

NXP BSH112,235

Наименование модели: BSH112,235

18 предложений от 12 поставщиков
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Akcel
Весь мир
BSH112,235
NXP
от 4.71 ₽
Utmel
Весь мир
BSH112,235
NXP
от 4.75 ₽
AiPCBA
Весь мир
BSH112,235
NXP
58 ₽
ChipWorker
Весь мир
BSH112,235
NXP
58 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 300 мА, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSH112
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.

01 -- 25 August 2000
M3D088
Product specification

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 500 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 5 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
  • Рассеиваемая мощность: 830 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 300 мА
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: 75 В
  • Voltage Vgs Max: 2 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BSH112235, BSH112 235

На английском языке: Datasheet BSH112,235 - NXP MOSFET, N CH, 60 V, 300 mA, SOT-23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России