Datasheet BSH112,235 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 300 мА, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: BSH112,235
Купить BSH112,235 на РадиоЛоцман.Цены — от 4.71 до 405 ₽ 18 предложений от 12 поставщиков N-channel enhancement mode field-effect transistor | |||
BSH112,235 NXP | от 4.71 ₽ | ||
BSH112,235 NXP | от 4.75 ₽ | ||
BSH112,235 NXP | 58 ₽ | ||
BSH112,235 NXP | 58 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 300 мА, SOT-23
Краткое содержание документа:
BSH112
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev.
01 -- 25 August 2000
M3D088
Product specification
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 500 мА
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 5 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
- Рассеиваемая мощность: 830 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 300 мА
- Тип корпуса: SOT-23
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 75 В
- Voltage Vgs Max: 2 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
BSH112235, BSH112 235