Datasheet BSP230,135 - NXP Даташит Полевой транзистор P-CH 300 В 210 мА SOT223 — Даташит
Наименование модели: BSP230,135
Купить BSP230,135 на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 87 ₽ 33 предложений от 16 поставщиков Силовой МОП-транзистор, D-MOS, P Канал, 300 В, 210 мА, 17 Ом, SOT-223, Surface Mount | |||
BSP230,135 NXP | 11 ₽ | ||
BSP230,135 Nexperia | от 19 ₽ | ||
BSP230,135 Nexperia | от 87 ₽ | ||
BSP230,135 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор P-CH 300 В 210 мА SOT223
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BSP230 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
Product specification Supersedes data of 1997 Jun 17 File under Discrete Semiconductors, SC13b 1997 Oct 21
Philips Semiconductors
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -170 мА
- Drain Source Voltage Vds: -300 В
- On Resistance Rds(on): 17 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -2.55 В
- Рассеиваемая мощность: 1.5 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: -210 мА
- Тип корпуса: SOT-223
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: -300 В
- Voltage Vgs Max: -2.8 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
BSP230135, BSP230 135