Datasheet BSP250,115 - NXP Даташит Полевой транзистор P-CH 30 В 3 А SOT223 — Даташит
Наименование модели: BSP250,115
Купить BSP250,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 78 ₽ 34 предложений от 16 поставщиков NEXPERIA - BSP250,115 - MOSFET Transistor, P Channel, -1 A, -30 V, 250 mohm, -10 V, -2.8 V RoHS Compliant: Yes... | |||
BSP250,115 Philips | 12 ₽ | ||
BSP250,115 Nexperia | от 21 ₽ | ||
BSP250,115 NXP | 42 ₽ | ||
BSP250,115 NXP | 43 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор P-CH 30 В 3 А SOT223
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BSP250 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
Product specification Supersedes data of November 1994 File under Discrete Semiconductors, SC13b 1997 Jun 20
Philips Semiconductors
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -1 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 250 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -2.8 В
- Рассеиваемая мощность: 5 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: -2.8 мА
- Тип корпуса: SOT-223
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: -30 В
- Voltage Vgs Max: -2.8 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
BSP250115, BSP250 115