Datasheet BSS123 - NXP Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 150 мА, 100 В, SOT-23 — Даташит

Купить BSS123 на РадиоЛоцман.Цены — от 0.11 до 75 ₽ 61 предложений от 32 поставщиков Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
ЗУМ-СМД Россия	BSS123 Hottech	0.11 ₽	Купить
AliExpress Весь мир	BAT54C, KL3, BAT54S, KL4, BAT54, KL1, BAT54A, KL2, BSS138, J1, BSS84, PD BSS123, SA, bab99, A7, BAW56, A1, bab70, A4, BAS16, A6, SOT-23	0.32 ₽	Купить
ICdarom.ru Россия	BSS123 YJ SOT23	от 0.98 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	BSS123 L7874 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 150 мА, 100 В, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
FEATURES
· 'Trench' technology · Extremely fast switching · Logic level compatible · Subminiature surface mounting package

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 150 мА
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 3.5 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
• Рассеиваемая мощность: 250 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 150 мА
• Тип корпуса: SOT-23
• Pulse Current Idm: 600 мА
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.8 В

RoHS: есть