Datasheet BUK652R1-30C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, SOT78 — Даташит

Купить BUK652R1-30C на РадиоЛоцман.Цены — от 156 до 8 555 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков Trans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
AiPCBA Весь мир	BUK652R1-30C,127 NXP	156 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	BUK652R1-30C,127 NXP	156 ₽	Купить
ЧипСити Россия	BUK652R1-30C,127 NXP	185 ₽	Купить
ЭИК Россия	BUK652R1-30C,127 NXP	225 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, SOT78

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK652R1-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.

02 -- 16 December 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 2020µ Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 16 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: SOT-78A
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 120 А
• Power Dissipation Pd: 263 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• AAVID THERMALLOY - 1.25GY-50
• Fairchild - FDMC8200
• Fischer Elektronik - WLK 5

Варианты написания:

BUK652R130C, BUK652R1 30C