Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet BUK6607-55C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 72 А, SOT404 — Даташит

NXP BUK6607-55C

Наименование модели: BUK6607-55C

28 предложений от 13 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 55 В, 100 А, 0.0055 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK6607-55C.118
Nexperia
38 ₽
ChipWorker
Весь мир
BUK6607-55C118
NXP
75 ₽
Элитан
Россия
BUK6607-55C
NXP
164 ₽
BUK6607-55C,118
Nexperia
от 248 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 72 А, SOT404

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK6607-55C
N-channel TrenchMOS logic and standard level FET
Rev.

1 -- 14 October 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 55 В
  • On State Resistance: 5.5 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 16 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: D2-PAK
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 100 А
  • Power Dissipation Pd: 158 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
  • Fischer Elektronik - WLK 5

Варианты написания:

BUK660755C, BUK6607 55C

На английском языке: Datasheet BUK6607-55C - NXP MOSFET, N CH, 55 V, 72 A, SOT404

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России