HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet BUK663R5-30C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, SOT404 — Даташит

NXP BUK663R5-30C

Наименование модели: BUK663R5-30C

11 предложений от 11 поставщиков
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK663R5-30C.118
Nexperia
60 ₽
ChipWorker
Весь мир
BUK663R5-30C118
NXP
74 ₽
AiPCBA
Весь мир
BUK663R5-30C118
NXP
77 ₽
ЧипСити
Россия
BUK663R5-30C
NXP
95 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, SOT404

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK663R5-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.

02 -- 16 November 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On State Resistance: 2.9 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 16 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: D2-PAK
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 100 А
  • Power Dissipation Pd: 158 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

  • Fairchild - FDMC8200
  • Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
  • Fischer Elektronik - WLK 5

Варианты написания:

BUK663R530C, BUK663R5 30C

На английском языке: Datasheet BUK663R5-30C - NXP MOSFET, N CH, 30 V, 100 A, SOT404

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России