Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet BUK7535-55A - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 55 В 35 А SOT78 — Даташит

NXP BUK7535-55A

Наименование модели: BUK7535-55A

23 предложений от 16 поставщиков
N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin
Akcel
Весь мир
BUK7535-55A,127
NXP
от 27 ₽
Utmel
Весь мир
BUK7535-55A,127
NXP
от 28 ₽
ЧипСити
Россия
BUK7535-55A,127
NXP
65 ₽
LifeElectronics
Россия
BUK753555A
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH 55 В 35 А SOT78

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK7535-55A; BUK7635-55A
TrenchMOSTM standard level FET
Rev.

01 -- 10 November 2000 Product specification
1. Description
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOSTM technology, featuring very low on-state resistance. Product availability: BUK7535-55A in SOT78 (TO-220AB) BUK7635-55A in SOT404 (D 2-PAK).

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 35 А
  • Drain Source Voltage Vds: 55 В
  • On State Resistance: 35 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: SOT-78A
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Current Id Max: 35 А
  • Тип корпуса: SOT-78A
  • Power Dissipation Pd: 85 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: 55 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BUK753555A, BUK7535 55A

На английском языке: Datasheet BUK7535-55A - NXP MOSFET, N CH 55 V 35 A SOT78

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России