Datasheet BUK7Y13-40B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 40 В 58 А SOT669 — Даташит
Наименование модели: BUK7Y13-40B
Купить BUK7Y13-40B на РадиоЛоцман.Цены — от 15 до 93 ₽ 22 предложений от 11 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 58 А, 0.011 Ом, LFPAK56, Surface Mount | |||
BUK7Y13-40B,115 NXP | 15 ₽ | ||
BUK7Y13-40B.115 Nexperia | 24 ₽ | ||
BUK7Y13-40B NXP | 62 ₽ | ||
BUK7Y13-40B,115 Nexperia | от 93 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH 40 В 58 А SOT669
Краткое содержание документа:
BUK7Y13-40B
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev.
03 -- 26 May 2008 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 58 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 13 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Рассеиваемая мощность: 85 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: SOT-669
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 58 А
- Тип корпуса: SOT-669
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 40 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
BUK7Y1340B, BUK7Y13 40B