Datasheet BUK9Y11-30B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 30 В 75 А SOT669 — Даташит
Наименование модели: BUK9Y11-30B
Купить BUK9Y11-30B на РадиоЛоцман.Цены — от 33 до 545 ₽ 17 предложений от 11 поставщиков МОП-транзистор Trans МОП-транзистор N-CH 30V 59A 5-Pin(4+Tab) | |||
| BUK9Y11-30B.115 Nexperia | 33 ₽ | ||
| BUK9Y11-30B NXP | 70 ₽ | ||
| BUK9Y11-30B,115 Nexperia | по запросу | ||
| BUK9Y11-30B NXP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH 30 В 75 А SOT669
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
BUK9Y11-30B
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.
01 -- 30 August 2007 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 59 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 9 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Рассеиваемая мощность: 75 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: SOT-669
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 59 А
- Тип корпуса: SOT-669
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 15 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
BUK9Y1130B, BUK9Y11 30B
