HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet BUK9Y14-40B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 40 В 56 А SOT669 — Даташит

NXP BUK9Y14-40B

Наименование модели: BUK9Y14-40B

28 предложений от 14 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 56 А, 0.009 Ом, LFPAK56, Surface Mount
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK9Y14-40B.115
Nexperia
26 ₽
ЧипСити
Россия
BUK9Y14-40B,115
NXP
49 ₽
Akcel
Весь мир
BUK9Y14-40B,115
Nexperia
от 299 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
BUK9Y14-40B115
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH 40 В 56 А SOT669

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK9Y14-40B
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.

03 -- 2 June 2008 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 56 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 11 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 85 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: SOT-669
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 56 А
  • Тип корпуса: SOT-669
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: 40 В
  • Voltage Vgs Max: 15 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

BUK9Y1440B, BUK9Y14 40B

На английском языке: Datasheet BUK9Y14-40B - NXP MOSFET, N CH 40 V 56 A SOT669

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России