Datasheet BUK9Y53-100B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 100 В 23 А SOT669 — Даташит
Наименование модели: BUK9Y53-100B
Купить BUK9Y53-100B на РадиоЛоцман.Цены — от 26 до 176 ₽ 30 предложений от 17 поставщиков TRANSISTOR 23 A, 100 V, 0.059 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, LFPAK-4, FET General Purpose Power | |||
BUK9Y53-100B.115 Nexperia | 26 ₽ | ||
BUK9Y53-100B,115 Nexperia | 39 ₽ | ||
BUK9Y53-100B,115 NXP | 52 ₽ | ||
BUK9Y53-100B NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH 100 В 23 А SOT669
Краткое содержание документа:
BUK9Y53-100B
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.
01 -- 30 August 2007 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 23 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 49 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Рассеиваемая мощность: 75 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: SOT-669
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 23 А
- Тип корпуса: SOT-669
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Max: 15 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
BUK9Y53100B, BUK9Y53 100B