KEEN SIDE успешно заменяет аналогичные продукты таких известных брендов, как Phoenix Contact, Weidmueller, Degson, Winstar, Hsuan Mao, KLS, G-NOR, Mean Well и др.

Datasheet BUK9Y53-100B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 100 В 23 А SOT669 — Даташит

NXP BUK9Y53-100B

Наименование модели: BUK9Y53-100B

30 предложений от 17 поставщиков
TRANSISTOR 23 A, 100 V, 0.059 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, LFPAK-4, FET General Purpose Power
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK9Y53-100B.115
Nexperia
26 ₽
Триема
Россия
BUK9Y53-100B,115
Nexperia
39 ₽
ChipWorker
Весь мир
BUK9Y53-100B,115
NXP
52 ₽
BUK9Y53-100B
NXP
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH 100 В 23 А SOT669

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK9Y53-100B
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.

01 -- 30 August 2007 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 23 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 49 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 75 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: SOT-669
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 23 А
  • Тип корпуса: SOT-669
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: 100 В
  • Voltage Vgs Max: 15 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

BUK9Y53100B, BUK9Y53 100B

На английском языке: Datasheet BUK9Y53-100B - NXP MOSFET, N CH 100 V 23 A SOT669

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России