На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet PHT4NQ10LT,135 - NXP Даташит Полевой транзистор N-CH 100 В 3.5 А SOT223 — Даташит

NXP PHT4NQ10LT,135

Наименование модели: PHT4NQ10LT,135

18 предложений от 12 поставщиков
транз: N-MOSFET 100V TRENCHFET SOT223 упаковка-4000
PHT4NQ10LT,135
Philips
8.84 ₽
Utmel
Весь мир
PHT4NQ10LT,135
Nexperia
от 18 ₽
LifeElectronics
Россия
PHT4NQ10LT.135
NXP
по запросу
ТаймЧипс
Россия
PHT4NQ10LT,135
NXP
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор N-CH 100 В 3.5 А SOT223

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PHT4NQ10LT
N-channel enhancement mode field-effect transistor
M3D087
Rev.

01 -- 11 September 2000
Product specification

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 1.75 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On State Resistance: 250 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
  • Voltage Vgs Max: 2 В
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-223
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Current Id Max: 3.5 А
  • Тип корпуса: SOT-223
  • Power Dissipation Pd: 6.9 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: 130 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PHT4NQ10LT135, PHT4NQ10LT 135

На английском языке: Datasheet PHT4NQ10LT,135 - NXP MOSFET N-CH 100 V 3.5 A SOT223

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России