Datasheet PHT4NQ10LT,135 - NXP Даташит Полевой транзистор N-CH 100 В 3.5 А SOT223 — Даташит
Наименование модели: PHT4NQ10LT,135
Купить PHT4NQ10LT,135 на РадиоЛоцман.Цены — от 8.84 до 102 ₽ 18 предложений от 12 поставщиков транз: N-MOSFET 100V TRENCHFET SOT223 упаковка-4000 | |||
PHT4NQ10LT,135 Philips | 8.84 ₽ | ||
PHT4NQ10LT,135 Nexperia | от 18 ₽ | ||
PHT4NQ10LT.135 NXP | по запросу | ||
PHT4NQ10LT,135 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор N-CH 100 В 3.5 А SOT223
Краткое содержание документа:
PHT4NQ10LT
N-channel enhancement mode field-effect transistor
M3D087
Rev.
01 -- 11 September 2000
Product specification
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.75 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On State Resistance: 250 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
- Voltage Vgs Max: 2 В
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current Id Max: 3.5 А
- Тип корпуса: SOT-223
- Power Dissipation Pd: 6.9 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 130 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
PHT4NQ10LT135, PHT4NQ10LT 135