Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet PMN45EN,135 - NXP Даташит Полевой транзистор N-CH 30 В 5.2 А SOT457 — Даташит

NXP PMN45EN,135

Наименование модели: PMN45EN,135

19 предложений от 13 поставщиков
MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP
Akcel
Весь мир
PMN45EN,135
Nexperia
от 8.92 ₽
Utmel
Весь мир
PMN45EN,135
Nexperia
от 9.05 ₽
ЧипСити
Россия
PMN45EN,135
NXP
39 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
PMN45EN.135
1 707 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор N-CH 30 В 5.2 А SOT457

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMN45EN
TrenchMOSTM enhanced logic level FET
M3D302
Rev.

01 -- 27 September 2002
Product data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On State Resistance: 40 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 1.5 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-457
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Current Id Max: 5.2 А
  • Тип корпуса: SOT-457
  • Power Dissipation Pd: 1.75 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PMN45EN135, PMN45EN 135

На английском языке: Datasheet PMN45EN,135 - NXP MOSFET N-CH 30 V 5.2 A SOT457

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России