Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet PMR780SN,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 0.55 А, SOT416 — Даташит

NXP PMR780SN,115

Наименование модели: PMR780SN,115

9 предложений от 9 поставщиков
MOSFET N-CH 60V 0.55A SOT416
AiPCBA
Весь мир
PMR780SN115
NXP
7.24 ₽
ChipWorker
Весь мир
PMR780SN115
NXP
7.34 ₽
Acme Chip
Весь мир
PMR780SN+115
NXP
по запросу
ЗУМ-СМД
Россия
PMR780SN,115
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 0.55 А, SOT416

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMR780SN
N-channel µTrenchMOSTM standard level FET
M3D173
Rev.

01 -- 5 March 2004
Product data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 300 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 920 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
  • Рассеиваемая мощность: 530 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-416
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 550 мА
  • Тип корпуса: SOT-416
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: 60 В
  • Voltage Vgs Max: 2 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PMR780SN115, PMR780SN 115

На английском языке: Datasheet PMR780SN,115 - NXP MOSFET, N CH, 60 V, 0.55 A, SOT416

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России