Datasheet PMV117EN,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 2.5 А, SOT23 — Даташит
Наименование модели: PMV117EN,215
Купить PMV117EN,215 на РадиоЛоцман.Цены — от 29 до 1 343 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 3Pin TO-236AB T/R | |||
| PMV117EN,215 NXP | 29 ₽ | ||
| PMV117EN,215 NXP | 29 ₽ | ||
| PMV117EN,215 NXP | от 1 310 ₽ | ||
| PMV117EN.215 NXP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 2.5 А, SOT23
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PMV117EN
µTrenchMOSTM enhanced logic level FET
Rev.
02 -- 7 April 2005 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 500 мА
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 117 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
- Рассеиваемая мощность: 830 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 2.5 А
- Тип корпуса: SOT-23
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 37 В
- Voltage Vgs Max: 2 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
PMV117EN215, PMV117EN 215
