KEEN SIDE успешно заменяет аналогичные продукты таких известных брендов, как Phoenix Contact, Weidmueller, Degson, Winstar, Hsuan Mao, KLS, G-NOR, Mean Well и др.

Datasheet PMV45EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит

NXP PMV45EN

Наименование модели: PMV45EN

33 предложений от 19 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 2,6А; Idm: 16А
ChipWorker
Весь мир
PMV45EN2215
NXP
4.98 ₽
AiPCBA
Весь мир
PMV45EN2215
NXP
5.25 ₽
Utmel
Весь мир
PMV45EN,215
NXP
от 13 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
PMV45EN215
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMV45EN
µTrenchMOSTM enhanced logic level FET
Rev.

01 -- 15 January 2003
M3D088
Product data

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 5.4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On State Resistance: 35 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Current Id Max: 5.4 А
  • Current Temperature: 25°C
  • Маркировка: PMV45EN
  • External Depth: 2.5 мм
  • Внешняя длина / высота: 1.12 мм
  • Внешняя ширина: 3.05 мм
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Количество транзисторов: 1
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Power Dissipation Pd: 2 Вт
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 2 Вт
  • Pulse Current Idm: 21.6 А
  • Ширина ленты: 8 мм
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Max: 2 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMV45EN - NXP MOSFET, N, SOT-23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России